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  중국 CXMT의 D램 성능, 삼성·SK 못지않아 A1면: CXMT, 16나노 기술로 DDR5 D램 양산 삼성전자와 SK하이닉스는 중국 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 DDR5 D램 출시에 주목하기 시작했습니다. CXMT가 주요 고객사에 DDR5 양산을 시작했다는 정보를 입수한 후, 그 우려는 현실이 되었습니다.  CXMT는 10나노미터(nm) 3세대(12) 기술로 DDR5 D램을 양산하면서, 그 성능이 삼성전자와 SK하이닉스의 동일 사양 제품과 비교해 뒤지지 않는다고 밝혀졌습니다. 특히, CXMT의 DDR5 16Gb D램은 16nm 공정을 사용해 생산되었으며, 비트밀도(단위 면적당 저장 단위)가 0.239Gb/mm²로, 삼성과 SK의 제품보다 높습니다. 중국 D램 생산능력 및 시장 영향 주요 D램 업체 생산능력 (단위:만 장) 삼성전자: 789만 SK하이닉스: 592만 마이크론: 360만 CXMT: 237만 DDR4, DDR5 출하량 (단위:엑사비트) DDR4: 620 (2024년), 870 (2025년) DDR5: 870 (2024년), 150 (2025년) CXMT가 DDR4에 이어 DDR5에서도 저가 공세를 펼치면, 국내 기업들의 수익성이 크게 타격을 받을 것으로 예상됩니다. 지난해 CXMT는 DDR4를 30% 저렴하게 시장에 내놓아, DDR4 가격이 급락하고 한국 기업의 재고가 증가하는 등의 문제를 야기했습니다. 기술 격차와 미래 전망 CXMT의 DDR5 양산 성공은 미국의 기술·장비 수출 규제에도 불구하고 이루어진 것으로, 국내 업계에 큰 충격을 주었습니다. 삼성전자는 CXMT의 제품을 정밀 분석 중입니다. 또한, CXMT가 14~15nm 수준의 '10nm 4세대(1a)' D램 개발에 속도를 낼 것이라는 전망도 있습니다. 한편, 일부에서는 CXMT의 제품 품질과 성능이 여전히 한국 기업과 차이가 있으며, 과도한 우려는 필요 없다는 의견도 있습니다.  전문가 인터뷰: 황철성 서울대 석좌교수 황철성 교수는 CXMT가...